Produtos em destaque

Sinal analógico
e misto

 

FAN6080HMX_ONSEMI

 

 
FAN6080HMX

O FAN6080HMX é um controlador PWM avançado que atinge a densidade de potência de ≥10 W/in3 (610,23 kW/m3) em fontes de alimentação “flyback” isoladas CA/CC com faixa de entrada universal. Ele incorpora controle QR (Quase-ressonante) com comutação de vale (“valley switching”) proprietária para proporcionar alta eficiência reduzindo perdas de comutação. Possui operação em modo rajada (“burst”) MWSAVER® com corrente operacional extremamente baixa (300 μA) e consumo reduzido de energia em espera.

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Processadores e periféricos

 

R5F564MGDDFP_V1_Renesas

 

 
R5F564MGDDFP#V1

O R5F564MGDDFP#V1 faz parte do grupo RX64M de microcontroladores de 32 bits com base no núcleo de CPU RXv2. O MCU pode operar em até 120 Mhz e alcançar 240 DMIPS. Baseia-se em um projeto de baixa potência e é operado com um única fonte de alimentação de 2,7 a 3,6 V. Fornece código Flash sem espera, Flash de dados no chip e SRAM. As seleções de dispositivos oferecem várias interfaces, incluindo Ethernet IEEE-1588, USB e opções de CAN, bem como conversores A/D e D/A de 12 bits.

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Memórias

 

S25FL127SABMFV00_Infineon_Cypress

 

 
S25FL127SABMFV000

A S25FL127SABMFV000 é uma memória Flash serial SPI de 128 bits (16 MB) e 3,3 V fornecida com base na tecnologia MirrorBit com Arquitetura Eclipse™. Os dispositivos têm dimensões e conjuntos de comandos seriais compatíveis com as famílias SPI S25FL-A, S25FL-K e S25FL-P. O número de peça indicado é encapsulado em um SOIC de 16 pinos e opera na faixa de temperatura industrial de -40 °C a + 105 °C.

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Memórias

 

FM1608B-SG_Infineon

 

 
FM1608B-SG

A FM1608B-SG é uma memória ferroelétrica que oferece o benefício da ausência de volatilidade com os recursos de operação e interface de uma SRAM. A tecnologia elimina preocupações e desvantagens de uma SRAM à bateria, enquanto proporciona tempos de escrita rápidos e alta resistência de escrita. O dispositivo opera com uma fonte de alimentação de 5 V, fornece 38 anos de retenção de dados, caracteriza-se por uma faixa de temperatura entre -40 °C e 85 °C e está disponível em encapsulamento SOIC de 28 pinos.

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Sinal analógico
e misto

 

FGY120T65SPD-F085_ONSEMI

 

 
FGY120T65SPD-F085

O FGY120T65SPD é um IGBT de trincheira com tipologia “field stop” de 650 V e 120 A. O dispositivo é oferecido em encapsulamentos TO-247-3 padrão do setor, é coencapsulado com um diodo de recuperação rápida e suave “Extremefast”, é qualificado para aplicações automotivas e proporciona uma temperatura máxima de junção de 175 °C.

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