AIHD15N60RFATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
AIHD15N60RFATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001346824
PN genérico
AIHD15N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
5-31-2021
Prazo final para envio/embarque
11-30-2021
Tipo de Encapsulamento
TO-252-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8542.39.0090
ECCN
EAR99