BSO612CVGHUMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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$0.4227(R$2.15)|
Preços
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Código do fabricante
BSO612CVGHUMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000216307
PN genérico
BSO612
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
8-27-2019
Prazo final para envio/embarque
8-27-2019
Tipo de Encapsulamento
DSO8
Número de pinos
8
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99