BSP149L6327
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
BSP149L6327
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000089214
PN genérico
BSP149
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
5-15-2013
Prazo final para envio/embarque
11-15-2013
Tipo de Encapsulamento
SOT-223
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99