BSP299L6327HUSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
Esgotado
Preços
QTDPreço unitário100-499$0.6434(R$3.28)500-999$0.5791(R$2.95)1000-9999$0.534(R$2.72)10000-99999$0.4761(R$2.43)100000+$0.3989(R$2.03)
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Código do fabricante
BSP299L6327HUSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000089200
PN genérico
BSP299
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
5-15-2013
Prazo final para envio/embarque
11-15-2013
Tipo de Encapsulamento
SOT-223
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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