BLA1011S-200,112
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Fabricante:NXP Semiconductors
Categoria:Discretes
Descrição:RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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NXP Semiconductors
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$316.05(R$1,610.46)|
Preços
QTDPreço unitário1-24$316.05(R$1,610.46)25-99$306.57(R$1,562.16)100-499$297.09(R$1,513.85)500-999$287.61(R$1,465.55)1000+$278.12(R$1,417.19)
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Código do fabricante
BLA1011S-200,112
Fabricante
NXP Semiconductors
Código de pedido do fabricante
934058889112
PN genérico
BLA1011S-200
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
DN_201306022DN
Prazo final para
3-31-2014
Prazo final para envio/embarque
6-30-2014
Tipo de Encapsulamento
SOT502B2
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
60
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
RF Transistors
Código HTS dos EUA
8541.29.0065
ECCN
EAR99