BTS112ANKSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário25-99$2.19(R$11.16)100-499$2.08(R$10.60)500-999$1.97(R$10.04)1000-9999$1.86(R$9.48)10000+$1.75(R$8.92)
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Código do fabricante
BTS112ANKSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000011185
PN genérico
BTS11
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
4-30-2014
Prazo final para envio/embarque
10-31-2014
Tipo de Encapsulamento
CAN3/4
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
50
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99