BSB104N08NP3GXUSA1
Em estoque
Consulte a ficha técnica do produto para ver a imagem exata do produto.
Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 80V, 0.0104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
Compartilhar publicação
Seu preço:$0.84(R$4.28)
Compre mais e economize! Consulte a tabela de preços.
Infineon
Em estoque: 2,527
$0.8385(R$4.27)|
Preços
QTDPreço unitário100-499$0.8385(R$4.27)500-999$0.7547(R$3.85)1000-9999$0.696(R$3.55)10000-99999$0.6205(R$3.16)100000+$0.5199(R$2.65)
Preços, disponibilidade e prazos de entrega estão sujeitos a verificação no momento do pedido.
Código do fabricante
BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001164330
PN genérico
BSB104N08NP3 G
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
8-15-2024
Prazo final para envio/embarque
8-15-2024
Tipo de Encapsulamento
MG-WDSON-2
Número de pinos
2
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99