BSB280N15NZ3GXUMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
BSB280N15NZ3GXUMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000604534
PN genérico
BSB280N15NZ3 G
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_192_23
Prazo final para
12-31-2023
Prazo final para envio/embarque
6-30-2024
Tipo de Encapsulamento
MG-WDSON-2
Número de pinos
2
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99