BLF878,112
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Fabricante:NXP Semiconductors
Categoria:Discretes
Descrição:RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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NXP Semiconductors
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Preços
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Código do fabricante
BLF878,112
Fabricante
NXP Semiconductors
Código de pedido do fabricante
934061788112
PN genérico
BLF878
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-31-2016
Prazo final para envio/embarque
6-30-2016
Tipo de Encapsulamento
SOT979A
Número de pinos
4
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
RF Transistors
Código HTS dos EUA
8541.29.0065
ECCN
EAR99