BUZ31HXKSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
BUZ31HXKSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000682992
PN genérico
BUZ31
Equivalent Standard OPN
BUZ31H
Differences to Standard OPN
X-ROHS,K -Tube, S-10 Functional packing per box & A1 - Revision
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
2-28-2014
Prazo final para envio/embarque
8-31-2014
Tipo de Encapsulamento
CAN3/4
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99
