BSC079N10NSGATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
BSC079N10NSGATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000379590
PN genérico
BSC079N10
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_349_24
Prazo final para
3-31-2025
Prazo final para envio/embarque
9-30-2025
Tipo de Encapsulamento
PG-TDSON-8
Número de pinos
8
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99