BSC119N03MSCGATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário100-499$0.3218(R$1.64)500-999$0.2896(R$1.48)1000-9999$0.2671(R$1.36)10000-99999$0.2381(R$1.21)100000+$0.1995(R$1.02)
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Código do fabricante
BSC119N03MSCGATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000535398
PN genérico
BSC119N03
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
2-28-2013
Prazo final para envio/embarque
8-31-2013
Tipo de Encapsulamento
DFN8
Número de pinos
8
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99