BSC889N03LSGATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
BSC889N03LSGATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000475952
PN genérico
BSC889N03
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
8-31-2014
Prazo final para envio/embarque
2-28-2015
Tipo de Encapsulamento
DFN8
Número de pinos
8
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99