BSF110N06NT3GXUMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
BSF110N06NT3GXUMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000973760
PN genérico
BSF110N06
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
4-30-2016
Prazo final para envio/embarque
10-31-2016
Tipo de Encapsulamento
WDSON2
Número de pinos
2
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99