BSH111,215
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Fabricante:NXP Semiconductors
Categoria:Discretes
Descrição:Small Signal Field-Effect Transistor, 0.335A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

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NXP Semiconductors
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Preços
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Código do fabricante
BSH111,215
Fabricante
NXP Semiconductors
Código de pedido do fabricante
934056036215
PN genérico
BSH111
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
DN76 - 201412012DN
Prazo final para
6-30-2015
Tipo de Encapsulamento
TO-236AB
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
12000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0065
ECCN
EAR99

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