BSM25GB120DN2
Em estoque
Consulte a ficha técnica do produto para ver a imagem exata do produto.
Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
Compartilhar publicação
Seu preço:$31.55(R$160.77)
Compre mais e economize! Consulte a tabela de preços.
Infineon
Em estoque: 23
$31.55(R$160.77)|
Preços
QTDPreço unitário25-99$31.55(R$160.77)100-499$29.97(R$152.72)500-999$28.40(R$144.72)1000-9999$26.82(R$136.66)10000+$25.24(R$128.61)
Preços, disponibilidade e prazos de entrega estão sujeitos a verificação no momento do pedido.
Código do fabricante
BSM25GB120DN2
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100460
PN genérico
BSM25GB120
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-31-2015
Prazo final para envio/embarque
9-30-2015
Tipo de Encapsulamento
MODULE-7
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99