BSM75GD120DN2BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 103A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
Esgotado
Preços
QTDPreço unitário1-24$259.40(R$1,321.80)25-99$251.62(R$1,282.15)100-499$243.84(R$1,242.51)500-999$236.05(R$1,202.82)1000+$228.27(R$1,163.17)
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Código do fabricante
BSM75GD120DN2BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100364
PN genérico
BSM75GD120
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_097_23
Prazo final para
10-15-2023
Prazo final para envio/embarque
4-15-2024
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
39
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99