BSM75GP60BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário25-99$61.43(R$313.02)100-499$58.36(R$297.38)500-999$55.29(R$281.74)1000-9999$52.22(R$266.09)10000+$49.14(R$250.40)
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Código do fabricante
BSM75GP60BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100383
PN genérico
BSM75GP60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-30-2020
Prazo final para envio/embarque
6-30-2021
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
39
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99