BSM200GB120DLCHOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 420A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
Esgotado
Preços
QTDPreço unitário1-24$244.92(R$1,248.01)25-99$237.57(R$1,210.56)100-499$230.22(R$1,173.11)500-999$222.88(R$1,135.71)1000+$215.53(R$1,098.25)
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Código do fabricante
BSM200GB120DLCHOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100715
PN genérico
BSM200GB120
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
7
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99