CY7C1418BV18-250BZC
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Fabricante:Cypress
Categoria:Memory & Storage
Descrição:DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

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Cypress
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Preços
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Código do fabricante
CY7C1418BV18-250BZC
Fabricante
Cypress
PN genérico
CY7C1418BV18
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
8-10-2011
Prazo final para envio/embarque
2-11-2012
Tipo de Encapsulamento
BGA165
Número de pinos
165
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Memory & Storage
Subcategoria de tecnologia
DRAM & SRAM
Grupo de tecnologia
SRAM
Código HTS dos EUA
8542.32.0041
ECCN
3A991.B.2.A

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