DF23MR12W1M1B11BOMA1
Em estoque
Consulte a ficha técnica do produto para ver a imagem exata do produto.
Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
Compartilhar publicação
Seu preço:$82.99(R$422.88)
Compre mais e economize! Consulte a tabela de preços.
Infineon
Em estoque: 72
$82.99(R$422.88)|
Preços
QTDPreço unitário25-99$82.99(R$422.88)100-499$78.84(R$401.74)500-999$74.69(R$380.59)1000-9999$70.54(R$359.44)10000+$66.39(R$338.30)
Preços, disponibilidade e prazos de entrega estão sujeitos a verificação no momento do pedido.
Código do fabricante
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001602244
PN genérico
DF23MR12
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
1-23-2019
Prazo final para envio/embarque
1-23-2019
Tipo de Encapsulamento
AG-EASY1BM-2
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
24
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99