DF75R12W1H4FB11BOMA2
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário25-99$74.48(R$379.52)100-499$70.76(R$360.56)500-999$67.03(R$341.56)1000-9999$63.31(R$322.60)10000+$59.58(R$303.60)
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Código do fabricante
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001604704
PN genérico
DF75R12W1H4F_B11
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_185_20
Tipo de Encapsulamento
AG-EASY1B-2
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
24
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99