DF100R07W1H5FPB53BPSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
DF100R07W1H5FPB53BPSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001616992
PN genérico
DF100R07
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_040_17
Prazo final para
9-30-2017
Prazo final para envio/embarque
3-31-2018
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
30
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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