DF900R12IP4DVBOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$444.77(R$2,266.37)25-99$431.43(R$2,198.39)100-499$418.08(R$2,130.37)500-999$404.74(R$2,062.39)1000+$391.40(R$1,994.42)
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Código do fabricante
DF900R12IP4DVBOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001156308
PN genérico
DFXR12F
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME2-411
Número de pinos
10
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
3
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0065
ECCN
EAR99