DBD10G-TM-E
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon

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onsemi
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Código do fabricante
DBD10G-TM-E
Fabricante
onsemi
PN genérico
DBD10
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
4-18-2017
Prazo final para envio/embarque
10-18-2017
Tipo de Encapsulamento
DIP4
Número de pinos
4
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
2000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Diodes
Grupo de tecnologia
Rectifier/Schottky Diodes
Código HTS dos EUA
8541.10.0080
ECCN
EAR99