DD800S17K3B2NOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
DD800S17K3B2NOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100633
PN genérico
DD800S17
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-31-2017
Prazo final para envio/embarque
9-30-2017
Tipo de Encapsulamento
MODULE-4
Número de pinos
4
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.10.0080
ECCN
EAR99