EFC6612R-TF
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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onsemi
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Preços
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Código do fabricante
EFC6612R-TF
Fabricante
onsemi
PN genérico
EFC6612
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
WLCSP
Número de pinos
6
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99