F3L300R12ME4B22BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
F3L300R12ME4B22BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000931254
PN genérico
F3L300R12ME4_B22
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_217_23
Prazo final para
1-15-2024
Prazo final para envio/embarque
7-15-2024
Tipo de Encapsulamento
AG-ECONOD-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99