FDC8601
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET, 100 V, 2.7 A, 109 mΩ

Ficha técnica
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onsemi
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Preços
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Código do fabricante
FDC8601
Fabricante
onsemi
PN genérico
FDC8601
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
TSOT-23-6
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
3000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99