FF2MR12KM1HOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FF2MR12KM1HOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP002851510
PN genérico
FFXMR12KM1H
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
2-15-2023
Prazo final para envio/embarque
8-15-2023
Tipo de Encapsulamento
AG-62MM
Número de pinos
7
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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