FF3MR12KM1HOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$645.75(R$3,290.48)25-99$626.38(R$3,191.78)100-499$607.01(R$3,093.08)500-999$587.63(R$2,994.33)1000+$568.26(R$2,895.63)
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Código do fabricante
FF3MR12KM1HOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001686348
PN genérico
FFXMR12KM1H
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
2-15-2023
Prazo final para envio/embarque
8-15-2023
Tipo de Encapsulamento
AG-62MM
Número de pinos
7
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99