FF6MR12W2M1B11BOMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1200V, 0.00563ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001716496
PN genérico
FF6MR12W2M1_B11
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
9-30-2022
Prazo final para envio/embarque
12-31-2022
Tipo de Encapsulamento
AG-EASY2BM-2
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
15
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99