FF100R12RT4HOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário25-99$87.14(R$444.03)100-499$82.78(R$421.81)500-999$78.43(R$399.65)1000-9999$74.07(R$377.43)10000+$69.71(R$355.21)
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Código do fabricante
FF100R12RT4HOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000624754
PN genérico
FF100R12RT4
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-31-2024
Prazo final para envio/embarque
9-30-2024
Tipo de Encapsulamento
AG-34MM-411
Número de pinos
7
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99