FF200R33KF2CNOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 330A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FF200R33KF2CNOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100616
PN genérico
FF200R33
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
A-IHV73
Número de pinos
10
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
4
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99