FDD4N60NZ
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:FDD4N60NZ - Power Field-Effect Transistor, 3.4A, 600V, 2.5ohm, N-Channel, MOSFET, TO-252AA

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Código do fabricante
FDD4N60NZ
Fabricante
onsemi
PN genérico
FDD4N60NZ
Ciclo de vida do fabricante
EOL/LTB
Tipo de Encapsulamento
TO-252AA
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
2500
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99