FJP13007H1TU_F080
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Ficha técnica
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onsemi
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Código do fabricante
FJP13007H1TU_F080
Fabricante
onsemi
PN genérico
FJP13007
Ciclo de vida do fabricante
EOL/LTB
PDN Number
PDN - PD24582X
Tipo de Encapsulamento
TO-220-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
Bipolar Transistors
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99