FDN359BN
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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onsemi
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Preços
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Código do fabricante
FDN359BN
Fabricante
onsemi
PN genérico
FDN359BN
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
SSOT3-EUT
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
3000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.21.0095
ECCN
EAR99

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