FDG315N
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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onsemi
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Preços
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Código do fabricante
FDG315N
Fabricante
onsemi
PN genérico
FDG315N
Ciclo de vida do fabricante
EOL/LTB
Tipo de Encapsulamento
SC-70-6
Número de pinos
6
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
3000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.21.0095
ECCN
EAR99