FF600R12IE4VBOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$391.11(R$1,992.94)25-99$379.38(R$1,933.17)100-499$367.64(R$1,873.35)500-999$355.91(R$1,813.57)1000+$344.18(R$1,753.80)
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Código do fabricante
FF600R12IE4VBOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001124858
PN genérico
FFXR12I4F
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME2-411
Número de pinos
11
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
3
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99