FF600R12ME4EB11BOSA1
Em estoque
Consulte a ficha técnica do produto para ver a imagem exata do produto.
Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
Compartilhar publicação
Seu preço:$200.07(R$1,019.48)
Compre mais e economize! Consulte a tabela de preços.
Infineon
Em estoque: 1,337
$200.07(R$1,019.48)|
Preços
QTDPreço unitário1-24$200.07(R$1,019.48)25-99$194.07(R$988.90)100-499$188.07(R$958.33)500-999$182.06(R$927.70)1000+$176.06(R$897.13)
Preços, disponibilidade e prazos de entrega estão sujeitos a verificação no momento do pedido.
Código do fabricante
FF600R12ME4EB11BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001671626
PN genérico
FF600R12
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
AG-ECONOD-5
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
6
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99