FF600R12ME4PB11BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$205.03(R$1,044.75)25-99$198.88(R$1,013.41)100-499$192.73(R$982.07)500-999$186.58(R$950.74)1000+$180.43(R$919.40)
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Código do fabricante
FF600R12ME4PB11BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001102652
PN genérico
FFXR12M4P
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
AG-ECONOD-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
6
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99