FF650R17IE4BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$438.17(R$2,232.74)25-99$425.02(R$2,165.73)100-499$411.88(R$2,098.78)500-999$398.73(R$2,031.77)1000+$385.59(R$1,964.81)
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Código do fabricante
FF650R17IE4BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000614664
PN genérico
FFXR17I4F
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME2-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
3
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99