FF800R17KE3B2NOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FF800R17KE3B2NOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000083562
PN genérico
FF800R17KE3_B2
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-31-2018
Prazo final para envio/embarque
9-30-2018
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
10
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99