FF900R12IP4BOSA2
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$463.11(R$2,359.82)25-99$449.22(R$2,289.05)100-499$435.32(R$2,218.22)500-999$421.43(R$2,147.44)1000+$407.54(R$2,076.66)
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Código do fabricante
FF900R12IP4BOSA2
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000609750
PN genérico
FFXR12I4F
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME2-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
3
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99