FF900R12IP4DVBOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$547.52(R$2,789.94)25-99$531.09(R$2,706.22)100-499$514.67(R$2,622.55)500-999$498.24(R$2,538.83)1000+$481.82(R$2,455.16)
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Código do fabricante
FF900R12IP4DVBOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001124864
PN genérico
FFXR12I4F
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME2-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
3
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99