FF900R12IP4VBOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$495.39(R$2,524.31)25-99$480.53(R$2,448.59)100-499$465.67(R$2,372.87)500-999$450.80(R$2,297.10)1000+$435.94(R$2,221.38)
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Código do fabricante
FF900R12IP4VBOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001156324
PN genérico
FFXR12I4F
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME2-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
3
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99