FF1000R17IE4DB2BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1390A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
Esgotado
Preços
QTDPreço unitário1-24$628.72(R$3,203.71)25-99$609.86(R$3,107.60)100-499$591.00(R$3,011.50)500-999$572.14(R$2,915.40)1000+$553.27(R$2,819.24)
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Código do fabricante
FF1000R17IE4DB2BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000626668
PN genérico
FFXR17I4F
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
AG-PRIME3-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99