FP50R07N2E4BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário25-99$63.94(R$325.81)100-499$60.74(R$309.51)500-999$57.55(R$293.25)1000-9999$54.35(R$276.95)10000+$51.15(R$260.64)
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Código do fabricante
FP50R07N2E4BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000843256
PN genérico
FP50R07N2E4
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
AG-ECONO2
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
10
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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