FD1200R17HP4KB2BOSA2
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
Esgotado
Preços
QTDPreço unitário1-24$809.94(R$4,127.13)25-99$785.64(R$4,003.31)100-499$761.34(R$3,879.48)500-999$737.05(R$3,755.71)1000+$712.75(R$3,631.89)
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Código do fabricante
FD1200R17HP4KB2BOSA2
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001051988
PN genérico
FDXR17H4F
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
AG-IHMB13-411
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99